STH245N75F3-6

STH245N75F3-6是ST意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive级STripFET F3产品系列。该器件采用先进的H2PAK-6封装，专为要求高功率密度、高可靠性和高效率的严苛应用环境而设计。其核心架构基于STripFET F3技术，该技术通过优化单元结构和沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡，从而显著降低了传导损耗和开关损耗。

该MOSFET在25°C（壳温）条件下能够持续承受高达180A的漏极电流，其漏源击穿电压（V_DSS）为75V，为48V及以下总线电压系统提供了充足的电压裕量。一个关键的性能指标是其导通电阻，在10V栅极驱动电压（V_GS）和90A漏极电流条件下，其典型值仅为3毫欧，这直接转化为更低的通态压降和功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）在10V V_GS下最大值为87nC，较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计，并实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型H2PAK-6封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和更高的功率处理能力，其最大功率耗散（P_D）在壳温条件下可达300W。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±20V的栅源电压，增强了设计的鲁棒性。器件的输入电容（C_iss）在25V V_DS下最大为6800pF，是评估开关动态特性的重要参数。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。用户可通过授权的ST代理商获取详细的技术资料与支持。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和符合汽车级标准的可靠性，STH245N75F3-6非常适用于对效率和耐用性有极高要求的应用场景。典型应用包括汽车领域的48V轻度混合动力系统（MHEV）中的DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动助力转向、水泵、油泵）、以及负载开关。此外，在工业电源、大电流同步整流、不间断电源（UPS）和电焊设备等高功率开关电源设计中，它也能发挥关键作用，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品提供了重要参考。

• 型号:STH245N75F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
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STH245N75F3-6是ST意法半导体基于STripFET F3技术开发的汽车级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-6封装，核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。其在壳温25°C下连续漏极电流高达180A，漏源电压为75V，为48V系统应用提供了可靠的保障。

其最突出的技术参数是极低的导通电阻，在10V栅极驱动和90A电流条件下，典型值仅为3毫欧，这直接优化了传导效率。同时，最大87nC的栅极电荷有助于实现快速开关，降低开关损耗。该器件设计用于严苛环境，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散达300W，非常适合要求高功率密度和高可靠性的汽车及工业电源解决方案。