STH272N6F7-6AG

作为ST意法半导体（STMicroelectronics）旗下Automotive, AEC-Q101, STripFET F7产品系列的一员，STH272N6F7-6AG是一款采用先进技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用H2PAK-6封装，专为表面贴装应用而设计，其核心架构基于STripFET F7技术平台，该平台通过优化单元结构和工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的出色平衡。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的功率处理能力与效率。在25°C壳温（T_C）下，其连续漏极电流（I_D）高达180A，最大功率耗散为333W，展现出强大的电流承载与散热性能。其导通电阻在10V栅源电压（V_GS）、90A漏极电流（I_D）条件下，最大值仅为1.5毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_G）在10V条件下最大值为170nC，较低的开关损耗有助于提升高频开关应用的性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的技术支持和供货信息。

在电气参数方面，STH272N6F7-6AG的漏源击穿电压（V_DSS）为60V，栅源电压（V_GS）最大可承受±20V，提供了宽裕的设计余量。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V @ 250A，输入电容（C_iss）最大值为11000pF @ 25V，这些参数共同定义了器件的驱动特性和开关速度。其宽广的工作结温（T_J）范围从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高电流能力、低导通电阻、优化的开关特性以及符合AEC-Q101标准的汽车级品质，这款MOSFET非常适用于对效率和可靠性要求极高的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如电动助力转向、水泵、风扇）、DC-DC转换器，以及工业电源、服务器电源和电池管理系统（BMS）中的主开关或同步整流环节。其H2PAK-6封装也提供了优异的散热性能和功率密度。

• 制造商产品型号：STH272N6F7-6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 90A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11000pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2PAK-6
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STH272N6F7-6AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET F7技术和H2PAK-6表面贴装封装。该器件设计用于高功率、高效率的开关应用。

其核心电气参数表现突出：漏源电压（V_DSS）为60V，在壳温25°C下连续漏极电流（I_D）高达180A。关键性能指标包括极低的导通电阻（最大值1.5mΩ @ 90A, 10V）和优化的栅极电荷（最大值170nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

此外，该器件符合AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备333W（T_C）的功率耗散能力，适用于要求高可靠性和鲁棒性的汽车及工业电源应用。