STH300NH02L-6

STH300NH02L-6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的Automotive级STripFET III产品系列，采用先进的HPAK封装。该器件基于成熟的MOSFET技术，其核心架构针对低导通电阻和高电流处理能力进行了深度优化，通过精细的单元设计和工艺改进，在紧凑的封装内实现了极低的功率损耗和出色的热性能，为高密度、高可靠性的电源与电机驱动应用提供了理想的半导体解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）为24V，在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达180A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、80A漏极电流条件下，最大值仅为1.2毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在109nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、高效的开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了器件在严苛环境下的稳定运行。

在接口与参数层面，该器件设计为表面贴装型，采用HPAK封装，具有良好的散热能力和功率密度。其驱动电压范围宽裕，标准驱动电压为5V和10V，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，提供了设计灵活性。其输入电容（Ciss）最大值为7050pF @ 15V，结合较低的栅极电荷，共同决定了其动态开关特性。最大功率耗散能力为300W（Tc），为处理瞬态大功率提供了充足余量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

得益于其高电流、低电阻和汽车级可靠性，STH300NH02L-6非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的领域。其主要应用场景包括汽车电子系统中的电机驱动（如电动助力转向、风扇/水泵控制）、DC-DC转换器（尤其是大电流同步整流和负载点转换）以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制模块。此外，在工业自动化、大功率电源和电动工具等需要高效功率开关的场合，该器件也能发挥关键作用。尽管其零件状态标注为停产，但其设计理念和性能参数仍代表了该领域的高水准，并为后续替代型号的选择提供了重要参考。

• 型号:STH300NH02L-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7050 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• 想获取STH300NH02L-6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH300NH02L-6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用HPAK封装。该器件隶属于STripFET III系列，专为要求高效率和可靠性的严苛应用而设计。

其核心电气参数表现突出：漏源电压（Vdss）为24V，连续漏极电流（Id）高达180A（Tc）。关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、80A Id条件下，Rds(on)最大值仅为1.2毫欧，能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值为109nC @ 10V，有利于实现高效的开关性能。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

综合来看，这款MOSFET凭借其高电流能力、超低导通电阻和汽车级品质，主要面向汽车电机驱动、大电流DC-DC转换及电池管理等高效功率开关应用场景。