STI11NM60ND

STI11NM60ND是ST意法半导体基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔式I2PAK封装，专为高电压、高效率的功率开关应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和先进的沟槽工艺，在600V的漏源击穿电压（Vdss）下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低高频开关应用中的导通损耗和开关损耗至关重要。

该MOSFET在25°C壳温（Tc）下可支持高达10A的连续漏极电流，其最大导通电阻在5A电流、10V栅极驱动电压下仅为450毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合850pF（@50V）的输入电容（Ciss），意味着器件具备较快的开关速度和较低的驱动需求，有助于简化栅极驱动电路的设计并提升系统整体效率。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了较宽的安全工作裕度。

在电气参数方面，STI11NM60ND的阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V @ 250A，属于标准逻辑电平驱动范畴。器件在壳温下的最大功率耗散为90W，最高结温（TJ）可达150°C，展现了良好的热性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号或生命周期状态。

凭借600V的耐压能力和10A的电流处理能力，这款MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及照明镇流器等应用场景。其FDmesh II技术带来的低导通电阻和开关损耗特性，使其在追求高能效和功率密度的工业与消费类电源设计中，曾是工程师们一个经典的高性价比选择。

• 型号:STI11NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 想获取STI11NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STI11NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心电气规格包括600V的漏源电压（Vdss）和10A（Tc）的连续漏极电流，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：最大导通电阻（Rds(on)）低至450毫欧（@5A, 10V），能有效降低导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为30nC（@10V），有利于实现高速开关并减少驱动损耗。这些特性使其非常适用于对效率要求苛刻的开关电源和电机驱动等场合。