STI15NM60ND

作为ST意法半导体FDmesh II系列中的一员，STI15NM60ND是一款采用N沟道增强型平面栅极结构的功率MOSFET。其核心架构基于先进的FDmesh II技术，这项技术通过优化单元密度和栅极设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。该技术旨在显著降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。其通孔I2PAK封装提供了坚固的机械结构和良好的散热路径，确保器件在高温环境下也能稳定工作。

该器件具备多项突出的电气特性。高达600V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的功率因数校正和反激式拓扑结构中的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为14A，而导通电阻在7A电流和10V栅极驱动电压下最大仅为299毫欧，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在很低的水平。同时，其栅极电荷最大值仅为40nC，结合10V的标准驱动电压，有助于实现快速开关并简化栅极驱动电路的设计，从而有效降低开关损耗。

在接口与参数方面，其栅源电压耐受范围为±25V，为驱动电路提供了充足的裕量，增强了系统的鲁棒性。输入电容在50V漏源电压下最大为1250pF，这一参数与低栅极电荷共同决定了其快速的开关响应能力。器件的最大功率耗散能力为125W，结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。用户可以通过ST代理获取详细的技术支持和供应链服务。

基于其高耐压、低导通电阻和快速开关的特性，STI15NM60ND非常适用于对效率和可靠性有高要求的离线式开关电源应用。典型场景包括服务器和电信设备的电源单元、工业电机驱动的辅助电源、大功率LED照明驱动以及各类消费类电子产品的适配器。在这些应用中，它能够有效提升电源的功率密度和能效等级，尽管该型号目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍代表了该领域一个成熟且经过验证的解决方案。

• 制造商产品型号：STI15NM60ND
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：FDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1250pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• 想获取STI15NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STI15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用I2PAK通孔封装，核心优势在于其600V的高漏源电压耐受力与低至299毫欧的导通电阻的出色结合，同时栅极电荷最大值仅为40nC，这使其在高压开关应用中能同时实现低传导损耗和高频开关性能。

其14A的连续漏极电流能力和125W的功率耗散容量，配合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在工业级电源等严苛环境下的稳定运行与高可靠性。这些特性使其成为构建高效、紧凑型开关电源解决方案的关键元件。