STK22N6F3

作为ST意法半导体STripFET系列的一员，STK22N6F3是一款采用先进PolarPak封装技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的热管理性能。PolarPak封装结构独特，通过将散热路径直接引向PCB板，有效降低了从芯片结到环境的热阻，从而在紧凑的尺寸下允许更高的持续电流处理能力，这对于空间受限的高性能应用至关重要。

在电气特性方面，该器件展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够在25°C壳温条件下持续处理高达22A的漏极电流。尤为突出的是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、11A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为6毫欧。这种低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在41nC @ 10V，结合±20V的最大栅源电压容限，意味着它能够实现快速开关并具备较强的栅极驱动鲁棒性，有助于简化驱动电路设计并减少开关损耗。

该MOSFET的接口与参数设定平衡了性能与易用性。其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，提供了明确的导通门槛。输入电容（Ciss）最大值为2500pF @ 25V，是评估开关速度的重要参数。器件采用表面贴装型，适合自动化生产。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，最大功率耗散为5.2W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其60V的耐压、22A的电流能力以及PolarPak封装带来的优异散热性能，STK22N6F3非常适用于对效率和空间有双重要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。它能在服务器电源、工业自动化设备、电动工具等应用中，作为核心开关元件，有效管理功率流，提升终端产品的能效与功率密度。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有系统设计和备件供应中，它仍然是一个具有参考价值的高性能解决方案。

• 型号:STK22N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• 想获取STK22N6F3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STK22N6F3是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用独特的PolarPak封装，显著优化了散热路径，使其在表面贴装的紧凑外形下，能够支持高达22A的连续漏极电流（Tc）和60V的漏源电压，同时保持极低的导通电阻（典型值6mΩ @ 11A, 10V），有效降低了功率损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，最大栅极电荷（Qg）仅为41nC，有助于实现高速开关并减少驱动损耗。宽广的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在恶劣环境下的稳定运行。这款MOSFET适用于空间受限且要求高电流处理能力与高效散热的场景，如高密度DC-DC转换器和电机驱动电路。