STL110N4F7AG

STL110N4F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET F7产品系列。该器件采用优化的垂直架构，在紧凑的PowerFlat（5x6）封装内实现了卓越的功率密度与电气性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，这对于提升系统效率、减少热管理负担至关重要，尤其适用于空间受限且对可靠性要求严苛的汽车电子环境。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和高达108A的连续漏极电流（Id）能力，为负载提供坚实的功率处理基础。其最突出的特性之一在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压（Vgs）和54A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为4毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于系统在重载条件下保持低温运行。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15nC，结合1150pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换速度，有效降低了开关过程中的能量损耗，这对于高频开关应用尤为重要。

在接口与参数方面，该器件设计有宽泛的栅极驱动电压容限（Vgs最大值为±20V）和较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大4V），增强了驱动的便利性和抗干扰能力。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，并能在高达94W的功率耗散下稳定工作，展现了出色的热性能和鲁棒性。表面贴装的PowerFlat封装不仅优化了散热路径，还显著减少了PCB占板面积，非常适合高密度电路板设计。如需获取官方技术支持和正品保障，建议通过ST授权代理进行采购。

基于其高电流能力、低损耗以及车规级可靠性，STL110N4F7AG非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用场景包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器（尤其是同步整流端）、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及各类工业电源和功率分配模块。其卓越的性能使其成为在紧凑空间内实现高效、可靠功率控制的理想选择。

• 型号:STL110N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4毫欧 @ 54A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL110N4F7AG是ST意法半导体推出的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET F7技术，封装于紧凑的PowerFlat（5x6）中。该器件核心优势在于其极低的导通电阻（4毫欧 @ 10V, 54A）与高电流处理能力（108A连续漏极电流）的出色结合，能显著降低功率损耗，提升系统整体效率。

其电气参数针对高性能开关应用进行了优化，栅极电荷（Qg）低至15nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。同时，它满足AEC-Q101标准，工作结温高达175°C，确保了在严苛的汽车电子环境下的长期可靠性。这些特性使其成为汽车电机控制、电源转换及高密度功率管理等应用的理想功率开关解决方案。