A1P25S12M3-F

A1P25S12M3-F是ST意法半导体推出的ACEPACK 1系列功率模块，集成了完整的三相反相器拓扑结构。该模块采用先进的沟槽型场截止（Trench Field Stop）IGBT技术，在单封装内整合了六个IGBT和对应的续流二极管，构成了一个紧凑且高效的功率转换核心。这种一体化设计显著减少了外部布线的复杂性和寄生参数，为系统提供了更高的功率密度和可靠性。

在电气性能方面，该模块展现出卓越的效率与稳健性。其集电极-发射极击穿电压高达1200V，最大集电极电流为25A，能够应对工业级应用中的高电压应力。其导通损耗极低，在15V栅极驱动电压、25A集电极电流条件下，饱和压降Vce(on)典型值仅为2.45V，这直接转化为更低的开关损耗和更高的整体系统效率，最大功耗为197W。模块内部集成了NTC热敏电阻，为实时温度监控和保护提供了便利，确保在-40°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。

该器件采用标准电平输入驱动，兼容主流栅极驱动器，输入电容（Cies）为1550pF @ 25V，有助于简化驱动电路设计。其集电极截止电流低至100A，体现了出色的关断特性。模块采用底座安装形式，优化的封装结构不仅提供了良好的机械强度和电气隔离，还确保了高效的热传导路径，便于与散热器集成以管理热耗散。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理进行采购与咨询。

凭借其高集成度、高效率和高可靠性，A1P25S12M3-F非常适用于中小功率的电机驱动与变频应用场景，例如工业变频器、伺服驱动器、通用逆变器以及不间断电源（UPS）系统。其紧凑的ACEPACK 1封装使其成为空间受限但要求高性能的设备的理想选择，能够有效提升终端产品的能效等级与功率密度。

• 型号:A1P25S12M3-F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 功率 - 最大值:197 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，25A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
• 输入:标准
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
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A1P25S12M3-F是ST意法半导体推出的一款紧凑型IGBT功率模块，隶属于ACEPACK 1系列。该模块集成了一个完整的三相反相器桥臂，包含六个采用沟槽型场截止技术的IGBT及续流二极管，额定电压为1200V，额定电流为25A，最大功耗197W。

其核心优势在于高集成度与高效率。模块具有低至2.45V @ 25A的导通压降，有助于降低开关损耗。内置的NTC热敏电阻支持直接温度监控，增强了系统保护能力。标准输入电平与底座安装封装设计，简化了系统集成与散热管理，适用于对空间和效率有较高要求的工业功率转换应用。