STL11N6F7

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STL11N6F7是一款采用先进沟槽栅技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。该器件采用PowerFlat（3.3x3.3）封装，这种紧凑的表面贴装型封装不仅提供了优异的散热性能，还极大地节省了PCB空间，适用于高密度设计。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达60V，确保了在多种电源拓扑中的可靠工作裕量。其连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达11A，展现了强大的电流处理能力。尤为突出的是其低导通电阻特性，在10V栅极驱动电压、5.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为12毫欧，这直接转化为更低的通态压降和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为17nC，配合4V的最大栅极阈值电压，意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，非常适合高频开关应用。

器件的接口与控制参数设计兼顾了性能与易用性。其栅源电压（Vgs）支持±20V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。输入电容（Ciss）在30V漏源电压下最大为1035pF，结合低Qg特性，降低了对驱动电路的要求。在热管理方面，器件在环境温度（Ta）下的最大功率耗散为2.9W，而当封装底部与散热良好的热沉连接时（Tc），耗散能力可显著提升至48W，这得益于PowerFlat封装优异的导热路径。其结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供货信息。

基于其综合性能，STL11N6F7非常适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关元件、电机驱动控制电路、锂离子电池保护板以及各类电源管理模块。其紧凑的封装和优异的电气特性使其成为空间受限且对能效有严格要求的便携式设备、通信基础设施和工业自动化设备的理想选择。

• 型号:STL11N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL11N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用先进的沟槽技术制造，在紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装内，实现了60V漏源电压（Vdss）和11A连续漏极电流（Id）的额定值。

其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs下最大仅为12毫欧，显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大17nC）确保了快速的开关速度，有效减少了开关损耗。这些特性共同提升了系统整体效率。

该MOSFET设计工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备良好的热性能，适合应用于空间受限且对效率和可靠性要求较高的领域，如DC-DC转换器、电机驱动和各类电源管理系统。