STL130N8F7

STL130N8F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII和DeepGATE技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能，其核心在于通过精细的单元几何结构和沟槽栅极工艺，在单位芯片面积内实现了更高的电流密度和更低的导通电阻（R_DS(on)）。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和13A漏极电流条件下，典型值仅为3.6毫欧，这直接转化为更高的系统效率和更低的功率损耗。同时，其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）平衡，典型Qg值在10V时为96nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得器件在高频开关应用中也能保持高效。其坚固的设计支持高达±20V的栅源电压，增强了抗干扰能力。

在电气参数方面，STL130N8F7具备80V的漏源击穿电压（V_DSS），在壳温（T_C）条件下可连续通过高达130A的电流，最大功耗为135W。其阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了可靠的导通与关断控制。器件采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其裸露的焊盘设计极大地改善了散热路径，允许在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品。

凭借其高电流处理能力、低导通与开关损耗以及出色的热特性，该器件非常适合用于对效率和功率密度要求苛刻的场合。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动与控制（如电动工具、无人机）、电池保护与管理系统，以及各类工业电源和逆变器系统。它是工程师在设计下一代高效能功率解决方案时的理想选择。

• 型号:STL130N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL130N8F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII和DeepGATE技术。该器件在10V栅极驱动下提供仅3.6毫欧（@13A）的极低导通电阻，并支持高达130A（T_C）的连续漏极电流和80V的漏源电压，旨在最大限度地降低导通损耗，提升系统整体能效。

其封装采用热性能优异的表面贴装型PowerFlat（5x6），结合优化的96nC（@10V）栅极电荷，有效平衡了开关速度与损耗。这些特性使其成为高功率密度和高效率应用的理想选择，例如服务器电源、电机驱动及工业电源转换系统。