STL140N4LLF5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL140N4LLF5是一款采用先进STripFET V技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心在于通过精细的单元结构和沟槽工艺，在保持高电流处理能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（V_DSS）额定值为40V，在壳温（T_C）条件下可支持高达140A的连续漏极电流，展现了强大的功率处理能力。其导通电阻极低，在10V栅源电压（V_GS）和16A漏极电流条件下，典型值仅为2.75毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为45nC（@4.5V），结合适中的输入电容（C_iss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，STL140N4LLF5的标准驱动电压范围为4.5V至10V，与常见的逻辑电平或标准栅极驱动电压兼容，便于设计。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为1V，确保了良好的噪声抑制能力和明确的导通/关断状态。器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功率耗散为80W（T_C），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商进行采购与咨询。

凭借高电流、低导通电阻和快速开关的特性，此器件非常适合用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的同步整流与DC-DC转换器、电动工具和工业电机驱动中的功率开关、汽车系统中的负载切换与电机控制，以及各类高效率的电源和逆变器设计。在这些应用中，它能够有效降低系统能耗，提升功率密度，并增强整体可靠性。

• 型号:STL140N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 140A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.75 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL140N4LLF5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL140N4LLF5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用PowerFlat封装，额定漏源电压为40V，在壳温条件下支持高达140A的连续漏极电流，具备强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.75mΩ @ 10V, 16A）和优化的栅极电荷（最大值45nC @ 4.5V），这共同实现了优异的传导损耗与开关损耗平衡。这些特性使其成为高效率、高功率密度设计的理想选择，广泛应用于DC-DC转换、电机驱动和电源管理等领域。