STL160NS3LLH7

STL160NS3LLH7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构与深沟槽栅极（DeepGATE）设计，旨在实现极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）和出色的开关性能。这种架构通过精细的单元密度和沟槽几何形状优化，有效降低了导通损耗和栅极电荷，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达160A，而导通电阻在10V栅源电压、18A漏极电流条件下典型值仅为2.1毫欧。这一特性使其在承载大电流时产生的传导损耗极低。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值在V_GS=4.5V时仅为20nC，结合较低的栅极阈值电压（V_GS(th)），意味着器件具备快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统开关频率和整体效率。

在电气接口与参数方面，STL160NS3LLH7的漏源击穿电压（V_{DSS）为30V，适用于低压大电流场景。其栅源电压（VGS）最大耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。器件采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功耗为84W（TC），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠性。客户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供应链服务。}

得益于其高电流密度、低损耗和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度要求极高的领域。典型应用包括服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器中的高端和低端开关，以及电机驱动、电池保护电路和各类电源管理模块。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍然代表了STripFET VII技术在高性能功率开关领域的一个经典实现。

• 型号:STL160NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3245 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:84W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL160NS3LLH7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET VII与DeepGATE产品系列。该器件设计用于30V电压环境，在25°C壳温下可连续通过高达160A的电流，其核心卖点在于极低的导通电阻（典型值2.1毫欧 @ 10V）与极低的栅极电荷（最大值20nC @ 4.5V），这共同实现了优异的传导效率与快速的开关性能。

其表面贴装型PowerFlat（5x6）封装优化了散热与空间占用，支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功耗为84W。这些参数使其成为高效率、高功率密度电源解决方案的理想选择，尤其适用于同步整流、DC-DC转换及电机控制等低压大电流应用场景。