STL19N65M5

意法半导体推出的STL19N65M5是一款采用先进MDmesh V技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该技术平台通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在保持高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而实现了优异的开关性能与导通损耗的平衡。其核心架构旨在满足高效率、高功率密度应用对开关器件的苛刻要求。

该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V栅极驱动电压、7.5A漏极电流条件下的导通电阻典型值仅为240毫欧，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率并简化栅极驱动电路的设计。

STL19N65M5采用表面贴装型PowerFlat（8x8）HV封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其结壳热阻（RthJC）低，允许在高达150°C的结温（TJ）下工作，并在管壳温度（Tc）条件下支持高达90W的功率耗散。其连续漏极电流在管壳温度为25°C时可达12.5A，展现了强大的电流处理能力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取该产品的详细技术资料和采购信息。

凭借其高压、低损耗和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于要求严苛的功率转换领域。其主要应用场景包括工业级开关电源（SMPS）、服务器和通信设备的电源模块、高效率LED照明驱动电源以及空调等白色家电中的电机驱动与PFC电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的MDmesh V技术优势，仍为理解高压MOSFET的性能演进提供了重要参考。

• 型号:STL19N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta），12.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:240 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1240 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL19N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至240毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，同时其栅极电荷（Qg）最大值仅为31nC，这共同确保了在高频开关应用中兼具低导通损耗和低开关损耗。

该MOSFET采用热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，在管壳温度（Tc）条件下可支持高达90W的功率耗散和12.5A的连续漏极电流，工作结温高达150°C，展现了强大的功率处理能力和可靠性。这些特性使其成为适用于高效率、高功率密度开关电源和功率因数校正（PFC）等应用的理想功率开关解决方案。