STL36N55M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STL36N55M5是一款采用先进垂直DMOS架构的N沟道功率MOSFET。其核心设计基于优化的单元结构和沟槽栅技术，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。该架构通过精心设计的电场分布和载流子迁移路径，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了稳健的雪崩耐量和较低的栅极电荷，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该器件在功能上表现出显著的优势。其550V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的400V整流后母线电压，并留有充足的安全裕量。在10V栅极驱动下，导通电阻典型值低至90毫欧（在16.5A条件下），这意味着在导通期间产生的传导损耗极低，直接提升了系统的整体能效。同时，最大62nC的栅极总电荷（Qg@10V）与优化的内部栅极电阻相结合，确保了开关过程的快速性与可控性，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与关键参数方面，STL36N55M5提供了强大的性能指标。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达22.5A，结合150W（Tc）的最大功耗能力，显示出出色的电流处理与散热性能。表面贴装的PowerFlat（8x8）HV封装不仅实现了紧凑的占板面积，其优化的引脚布局和裸露焊盘设计也极大地改善了热传导路径，有助于将芯片结温（Tj）产生的热量高效散发至PCB。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，并支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的噪声抑制能力和驱动灵活性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该器件及相关设计资源。

基于其高电压、低损耗和快速开关的特性，STL36N55M5非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器主开关的理想选择，尤其适用于服务器电源、通信基础设施电源和工业电源。此外，在电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）的功率级设计中，该器件也能发挥关键作用，帮助工程师实现更小体积、更高可靠性的电源解决方案。

• 型号:STL36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL36N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，核心优势在于550V的高漏源电压与极低的导通电阻（90mΩ @ 10V, 16.5A）的出色结合，这使其在高电压应用中能显著降低传导损耗，提升系统效率。

其62nC的低栅极电荷特性确保了快速的开关速度，有助于减小开关损耗并简化驱动设计。器件采用表面贴装型PowerFlat HV封装，在提供高达22.5A连续漏极电流和150W（Tc）功率处理能力的同时，实现了优异的散热性能和紧凑的布局。这些特性使其成为工业级开关电源、PFC电路、电机驱动及UPS等高效能、高可靠性功率转换系统的核心开关元件的理想选择。