STL50NH3LL

STL50NH3LL是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡，其核心设计理念是在紧凑的封装内提供高效率的功率处理能力。其沟槽栅极结构有效降低了单元密度，从而在给定的芯片面积上实现了更低的Rds(on)，这对于减少导通损耗至关重要。

该MOSFET的显著特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达27A的连续漏极电流能力，使其能够承受较高的功率负载。其导通电阻表现优异，在10V栅源电压（Vgs）和6.5A漏极电流条件下，最大值仅为13毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极驱动设计友好，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）仅为1V，且在4.5V Vgs下的栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC，这有助于降低驱动电路的功耗并实现快速的开关转换，减少开关损耗。其输入电容（Ciss）也经过优化，有助于进一步提升高频开关性能。

在电气参数方面，该器件支持宽范围的栅源电压（±16V），并提供了从-55°C到150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在苛刻环境下的可靠性。其最大功率耗散能力为60W（Tc），为热管理设计提供了明确依据。该器件采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感特性，非常适合于高密度PCB布局。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取相关技术资料与供货信息。

凭借其低导通电阻、快速开关能力以及紧凑高效的封装，STL50NH3LL非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中。例如，在同步整流、负载开关及电机驱动等场景中，它能有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STL50NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL50NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，具备30V的漏源电压（Vdss）和高达27A（Tc）的连续漏极电流处理能力，专为高效功率开关应用而设计。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下最大值仅为13毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了快速、高效的开关性能，有助于优化驱动电路设计并减少开关损耗。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。