STL52N25M5

STL52N25M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高开关效率与低导通损耗的平衡。其核心在于通过改进的单元结构和工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时优化了内部电容参数，这对于提升高频开关性能至关重要。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达28A的连续漏极电流（I_D）承载能力，确保了在严苛功率应用中的可靠性。其导通电阻典型值在10V驱动电压下表现优异，有助于减少导通状态下的功率损耗。栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）经过精心优化，使得器件在开关过程中所需的驱动能量更低，开关速度更快，从而降低了整体系统的开关损耗和电磁干扰（EMI）。

在电气参数方面，该器件在10V栅源电压下的最大导通电阻为65mΩ（测试条件：14A），栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V，这提供了良好的噪声容限。其采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有极低的热阻和优异的散热性能，允许器件在高达110W（T_C）的功率耗散下稳定工作，工作结温范围为-55°C至150°C，适应宽泛的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的技术支持与供货信息。

凭借其性能组合，STL52N25M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及DC-DC转换器等。其快速开关特性和稳健的电气参数使其成为提升工业自动化、消费类电子电源及照明系统能效的理想选择。

• 型号:STL52N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL52N25M5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL52N25M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用PowerFlat封装，提供250V的漏源电压（V_dss）和28A的连续漏极电流（I_d）处理能力，核心优势在于其优化的动态与静态性能。

其关键电气参数，包括在10V驱动下低至65mΩ的导通电阻（R_DS(on)）以及仅为47nC的栅极电荷（Q_g），共同确保了低导通损耗与高开关频率下的高效率。高达110W（T_C）的功率耗散能力与宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使其能够满足严苛的工业级应用对可靠性和散热的要求。