STL55NH3LL

作为意法半导体（STMicroelectronics）STripFET系列中的一员，STL55NH3LL是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于先进的平面工艺制造，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在紧凑的封装内提供高效率的功率处理能力。其内部结构经过优化，有效降低了栅极电荷和寄生电容，这对于提升开关频率和降低开关损耗至关重要。

该器件在电气性能上表现出色，其漏源击穿电压（Vdss）为30V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达55A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压下典型值极低，最大值仅为8.8毫欧（在7.5A条件下测得），这意味着在导通状态下产生的功率损耗非常小，有助于提升系统整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，结合最大栅极电荷（Qg）仅为12nC（@4.5V）的特性，使得该MOSFET易于驱动，能够与多种逻辑电平控制器兼容，并实现快速的导通与关断。

在接口与参数方面，STL55NH3LL采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也使其非常适用于高密度PCB设计。器件的最大栅源电压（Vgs）为±16V，提供了安全的驱动裕量。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管该产品目前已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，工程师仍可获得相关的技术资料与库存信息，以支持现有设计的维护与备件需求。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，该MOSFET非常适合应用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括低压大电流的同步整流电路、DC-DC转换器中的负载开关和电机驱动，以及各类电池保护与电源管理模块。其紧凑的PowerFlat封装使其成为空间受限的便携式设备、服务器电源和汽车辅助系统等领域的理想选择。

• 型号:STL55NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL55NH3LL是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET产品系列。该器件采用先进的平面工艺技术，在30V的漏源电压（Vdss）下，能够持续处理高达55A（Tc）的电流，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），典型值在10V Vgs下仅为数毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。

此外，该器件具备出色的开关性能，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合较低的输入电容，确保了快速、高效的开关动作，有助于减少开关损耗并提升工作频率。其采用热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为紧凑型、高功率密度的设计提供了可靠的解决方案。