STL58N3LLH5

STL58N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其面向汽车电子应用、符合AEC-Q101标准的STripFET H5产品系列。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其30V的漏源电压（Vdss）额定值，结合在25°C外壳温度（Tc）下高达64A的连续漏极电流能力，使其成为处理中等电压、大电流负载的理想选择。

该芯片的功能特点突出体现在其卓越的能效上。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、7.5A测试电流下最大值仅为9毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的传导损耗和发热量，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）在4.5V下最大值仅为10nC，意味着栅极驱动所需的能量极低，有助于实现高速开关并降低驱动电路的复杂性。器件支持宽范围的栅源电压（Vgs），最大值为+22V/-20V，提供了设计灵活性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与关键参数方面，STL58N3LLH5采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也满足了现代电子设备对高功率密度的要求。其最大阈值电压（Vgs(th)）为2.5V @ 250A，属于标准逻辑电平驱动，易于与微控制器或驱动IC接口。输入电容（Ciss）在25V下最大值为950pF，结合低栅极电荷，共同优化了开关动态特性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和库存信息。

基于其汽车级（AEC-Q101）认证、高电流处理能力和高效率特性，STL58N3LLH5非常适合应用于对可靠性和性能要求极高的领域。典型应用场景包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及工业控制中的电源管理模块。尽管其零件状态标注为停产，但在一些既有设计或特定备件需求中，它仍然代表了一款经过市场验证的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STL58N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL58N3LLH5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用PowerFlat封装，专为要求高可靠性的汽车电子应用而设计，符合AEC-Q101标准。其核心优势在于极低的导通电阻（9mΩ @ 10V）和栅极电荷（10nC @ 4.5V），这确保了在高频开关和连续大电流（64A Tc）工作条件下，仍能保持卓越的能效和较低的热损耗。

该器件额定漏源电压为30V，工作结温范围宽达-55°C至175°C，具备强大的环境适应性。其表面贴装形式和紧凑的封装尺寸，有助于实现高功率密度的电路设计，适用于空间受限的现代汽车电子与工业电源管理系统。