STL60N3LLH5

STL60N3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。其核心设计理念是在紧凑的封装内提供高电流处理能力，通过精细的单元结构优化，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而提升了整体能效。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻与高电流能力的结合。在10V驱动电压下，其最大导通电阻仅为7.1毫欧（测试条件为8.5A），这确保了在导通状态下具有极低的功率损耗。同时，器件在壳温（T_C）条件下可支持高达60A的连续漏极电流，展现了强大的负载驱动能力。其栅极电荷（Q_g）最大值低至8nC（@4.5V），结合适中的输入电容，意味着开关速度快，驱动损耗低，非常适合高频开关应用。

在电气接口与参数方面，STL60N3LLH5的漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于常见的低压电源总线。其栅源阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和低寄生电感，有助于优化PCB布局并改善散热。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的批量项目，可以通过授权的ST一级代理获取相关技术支持和库存信息。

凭借上述特性，该器件主要面向对效率和功率密度有严苛要求的低压、大电流应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动和控制的H桥电路、以及电池保护模块和负载开关。其快速开关能力和低导通电阻使其在同步降压转换器的下管或电机驱动中作为开关元件时，能有效降低系统整体损耗，提升终端产品的续航或能效表现。

• 型号:STL60N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL60N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在30V的漏源电压（V_DSS）规格下，提供了高达60A（T_C）的连续电流处理能力，并实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），典型值仅为数毫欧量级。

其设计注重于优化开关性能与导通损耗的平衡。极低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，从而提升系统在开关电源等应用中的工作效率。器件采用热增强型的表面贴装PowerFlat封装，具有良好的散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于空间受限且对热管理要求较高的应用环境。