STL6N2VH5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL6N2VH5是一款采用先进STripFET V技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在20V的漏源电压（Vdss）额定值下，显著提升功率转换效率和开关性能。其核心优势在于通过精细的单元结构优化，在紧凑的封装内实现了高电流密度与低损耗的平衡，为空间受限的高性能应用提供了理想的解决方案。

在电气特性方面，STL6N2VH5在4.5V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至30毫欧（@3A），这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6nC（@4.5V），结合550pF（@16V）的输入电容，确保了快速的开关切换速度，减少了开关损耗，特别适合高频开关应用。器件支持2.5V至4.5V的逻辑电平驱动，兼容现代微控制器GPIO口直接驱动，简化了系统设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET采用表面贴装型PowerFlat（2x2）封装，这一封装技术不仅提供了优异的散热性能，允许最大2.4W（Tc）的功率耗散，还极大地节省了PCB板面积，满足了现代电子产品小型化、高密度的设计要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件与技术资料。

凭借其低导通电阻、快速开关能力以及出色的热性能，STL6N2VH5非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括便携式设备的负载开关、DC-DC同步整流转换器、电机驱动控制电路以及电池管理系统（BMS）中的保护开关。它在提升系统能效、延长电池续航时间以及实现紧凑型电源设计方面发挥着关键作用。

• 型号:STL6N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• 想获取STL6N2VH5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL6N2VH5是ST意法半导体STripFET V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerFlat（2x2）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（30mΩ @ 3A, 4.5V）和栅极电荷（6nC @ 4.5V），这使其在20V/6A的额定参数下，能实现高效率的功率转换与快速开关。

该器件设计用于逻辑电平驱动（2.5V-4.5V），兼容现代微控制器，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）。这些特性使其成为空间受限、要求高效率和可靠性的同步整流、负载开关及电机驱动等应用的理想选择。