STL7N10F7

STL7N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用创新的DeepGATE单元结构，在紧凑的PowerFlat封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一指标是衡量开关效率的关键。其核心设计旨在通过优化单元密度和沟道电阻，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，将传导损耗和开关损耗降至最低，从而提升整体能效。

在电气特性方面，该MOSFET在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至35毫欧（在3.5A，10V条件下），这确保了在高达7A的连续漏极电流下仍能保持较低的导通压降和功率耗散。其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC（@10V），结合920pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，能够实现快速开关并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了稳健的驱动安全裕度，而阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，有助于增强抗噪声干扰能力。

该器件采用表面贴装型PowerFlat（3.3x3.3）封装，这种封装具有极低的热阻和占板面积，非常适合高功率密度应用。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并支持高达50W（Tc）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其性能组合，STL7N10F7非常适合应用于需要高效率电源转换和电机控制的领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动（如无人机、小型电动工具）、电池保护电路以及LED照明驱动。其低导通电阻和快速开关特性使其成为同步整流、开关电源中主开关或同步整流管的理想选择，能够有效提升系统效率和功率密度。

• 型号:STL7N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL7N10F7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET VII产品系列。该器件额定漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）可达7A，其核心优势在于极低的导通电阻（Rds(on)典型值35mΩ @10V）与优化的栅极电荷（Qg最大值14nC @10V）的平衡，这直接转化为更低的传导损耗和更高的开关频率能力。

其紧凑的3.3x3.3mm表面贴装封装提供了出色的热性能，支持高达50W（Tc）的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些特性使其成为空间受限且对效率要求严苛的现代电源和电机驱动应用的理想解决方案。