STL7NM60N

STL7NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的雪崩耐量和快速的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中的高压母线环境。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14nC，结合363pF的典型输入电容（Ciss），意味着所需的栅极驱动能量较小，有利于实现高速开关并降低驱动电路的损耗，对于提升开关电源的开关频率和功率密度具有积极意义。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型的14-PowerFLAT（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为5.8A，最大功耗为68W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了足够的驱动安全裕量。对于关键参数的验证与批量采购，建议通过正规的ST授权代理渠道进行，以保证产品的原装正品与技术支持。

得益于其高压、低损耗和快速开关的性能组合，STL7NM60N非常适用于需要高效能功率处理的场合。典型的应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及UPS（不间断电源）系统等。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设备维护或特定设计延续中，它仍是一个经过市场验证的可靠选择，工程师在为新设计选型时可参考其技术路径，选择ST后续更新的产品系列。

• 型号:STL7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A 14PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:68W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:14-PowerVQFN
• 想获取STL7NM60N的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL7NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V驱动下优化的低导通电阻，旨在显著降低高压应用中的导通损耗。

其设计注重开关性能与效率的平衡，具备较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有利于实现高速开关并简化驱动电路设计。该MOSFET采用14-PowerFLAT表面贴装封装，在-55°C至150°C的结温范围内可提供5.8A的连续漏极电流和68W的功率处理能力，为紧凑且高效的电源解决方案提供了可靠的半导体基础。