STN2NE10

STN2NE10是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极工艺，在紧凑的SOT-223封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。其核心设计旨在优化导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的乘积，即优值系数（FOM），从而在开关应用中有效降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在离线式电源、DC-DC转换器等存在电压尖峰的应用中提供了充足的安全裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为2A，能够满足中小功率级别的电流处理需求。其导通电阻在1A电流、10V栅源电压（V_GS）条件下的典型值仅为400毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的功率耗散，有助于简化散热设计。同时，其栅极驱动设计友好，最大栅源电压（V_GS）为±20V，而驱动电压（V_GS(th)）阈值典型值较低，确保了其能够与常见的5V或12V逻辑电平控制器兼容，简化了驱动电路。

在动态参数方面，STN2NE10表现出色。在10V驱动电压下，其最大栅极总电荷（Q_g）仅为19nC，结合305pF的典型输入电容（C_iss），意味着器件具有快速的开关速度，能够有效减少开关过渡时间，适用于高频开关应用。其采用表面贴装型SOT-223封装，不仅节省了PCB空间，其封装本身也提供了优于SOT-23等更小封装的热性能，在壳温（T_C）条件下最大功率耗散可达2.5W，最高结温（T_J）为150°C，确保了在紧凑空间内的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关产品信息与供应链服务。

综合其电气参数与封装特性，该器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的场合。典型应用包括低功率AC-DC开关电源（SMPS）中的初级侧开关或次级侧同步整流、电机驱动电路中的H桥或半桥功率级、LED驱动器的功率开关模块，以及各类DC-DC降压或升压转换器。其平衡的性能参数使其成为工程师在成本、尺寸与性能之间进行优化时的经典选择之一。

• 型号:STN2NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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STN2NE10是ST意法半导体推出的一款采用STripFET技术的N沟道MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心规格为100V漏源电压与2A连续漏极电流，其关键优势在于实现了低导通电阻（典型值400mΩ @ 10V V_GS）与低栅极电荷（最大值19nC @ 10V V_GS）的良好结合。

这一特性组合使其在开关电源等应用中能有效降低导通损耗和开关损耗，提升系统效率。其设计兼容常见的逻辑电平驱动，最高结温达150°C，提供了可靠的性能边界，适用于中小功率的电源转换与电机控制场景。