STW12NK95Z

STW12NK95Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的通孔TO-247-3封装，专为高电压、高功率应用环境而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在维持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的性能权衡，这一特性对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备950V的漏源击穿电压（Vdss），为其在高电压母线环境下的可靠运行提供了坚实的保障。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值可达10A，最大功率耗散能力为230W，展现了强大的功率处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在5A电流、10V栅极驱动电压下典型值仅为900毫欧，较低的导通损耗有助于减少器件在导通状态下的发热。栅极电荷（Qg）最大值控制在113nC（@10V），结合±30V的最大栅源电压（Vgs）耐受范围，意味着它能够被快速驱动，并兼容多种栅极驱动电路，有利于实现更高的开关频率和更低的开关损耗。

在接口与参数方面，该器件采用标准的三引脚TO-247封装，便于安装和散热管理。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V（@100A），属于标准逻辑电平驱动范畴。输入电容（Ciss）最大值为3500pF，是评估驱动电路需求的重要参数。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛工业环境下的适应性。对于需要可靠货源和深度技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是推荐的渠道。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STW12NK95Z非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的初级侧开关、工业电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）系统等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，增强功率密度，并保证长期运行的稳定性。尽管其零件状态标注为停产，但在许多现有设备和备件市场中，它依然是一款具有参考价值的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STW12NK95Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:113 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW12NK95Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，核心特性在于其高达950V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，专为应对高电压、大功率的严苛应用环境而优化。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至900毫欧（@5A），有助于降低导通损耗。同时，113nC的栅极电荷（Qg）和4.5V的阈值电压使其具备良好的开关性能，便于驱动电路设计，有助于提升系统效率。该器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为230W，确保了其在工业级应用中的可靠性与鲁棒性。