STP24NF10

STP24NF10是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺和单元结构优化，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心设计旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。TO-220AB封装提供了坚固的机械结构和良好的热性能，便于通过散热器进行有效的热量管理，确保器件在额定功率范围内稳定工作。

该MOSFET的电气性能表现突出，其100V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对反激式拓扑、电机驱动等应用中常见的电压应力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在12A电流条件下最大仅为60毫欧，这意味着在导通状态下产生的功率损耗非常小。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在41nC，结合870pF的输入电容（Ciss），使得开关过程迅速且所需的驱动功率较低，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。

在接口与参数方面，STP24NF10的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力，而±20V的最大栅源电压则为驱动电路的设计提供了充足的裕量。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C时高达26A，峰值电流处理能力强。高达85W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的领域。在开关电源（SMPS）中，它常被用作主开关管，特别是在AC-DC转换器和DC-DC变换器的初级侧。在电机控制领域，如电动工具、风扇驱动和工业自动化设备中，其高电流能力和快速开关特性是实现高效PWM调速的理想选择。此外，它在汽车电子（如LED驱动、泵类控制）、不间断电源（UPS）以及各类功率开关和负载切换电路中也有着广泛的应用前景。

• 型号:STP24NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 26A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP24NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心参数包括100V的漏源电压（Vdss）和26A（Tc）的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其关键优势在于优异的导通与开关性能平衡：在10V Vgs、12A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为60毫欧，有效降低了传导损耗；同时，最大栅极电荷（Qg）低至41nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。这些特性使其成为提升开关电源、电机驱动及各类功率转换电路效率的可靠选择。