STP10N62K3

STP10N62K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，为设计工程师提供了一个在高电压、高功率应用中实现高效开关与控制的可靠解决方案。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在维持高阻断电压能力的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的关键权衡关系，这一特性对于提升系统整体效率至关重要。

该器件具备620V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为8.4A，最大功率耗散能力达到125W，展现出强大的功率处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、4A电流条件下典型值仅为750毫欧，较低的导通损耗直接转化为更少的热量产生和更高的能源效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在42nC，结合±30V的宽泛栅源电压（Vgs）范围，意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗，并兼容多种驱动电路设计。

在电气参数方面，STP10N62K3的阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和抗误触发特性。其输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大为1250pF，这一参数与栅极电荷共同决定了驱动器的设计需求。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的产品信息与采购渠道。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET非常适合应用于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器、工业电机控制与驱动、以及不同断电源（UPS）等功率转换领域。其TO-220AB封装形式便于安装散热器，进一步提升了其在连续高功率运行下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态，但其代表的技术特性和设计思路，对于理解高压MOSFET的选型与在类似应用中的替代方案评估，仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心特性包括高达620V的漏源电压（Vdss）和8.4A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的耐压与载流基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至750毫欧（@4A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，最大42nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，有助于提升系统频率并减少开关损耗。这些参数使其成为开关电源、电机驱动等高效能功率转换系统的理想选择。