STP10N65K3

STP10N65K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面硅技术制造，封装于标准的TO-220通孔封装中。其核心设计旨在实现高压环境下的高效功率开关，内部结构通过优化单元密度和沟道设计，在保证高耐压的同时，致力于降低导通电阻和栅极电荷，从而提升整体能效。

该器件具备650V的高漏源击穿电压，这使其能够从容应对工业级AC-DC电源转换中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值为10A，结合仅1欧姆的最大导通电阻（测试条件为Vgs=10V， Id=3.6A），意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗，减少发热。其栅极驱动特性平衡，最大栅源电压为±30V，而典型的栅极阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和稳定的开关控制。

在动态性能方面，较低的栅极电荷（Qg最大值42nC）和输入电容（Ciss最大值1180pF）是其显著优势，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，并允许使用更简洁、高效的驱动电路，从而提升系统在高频开关应用中的响应速度。其最大功率耗散能力为150W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，提供了可靠的工作余量。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关产品信息与供应链服务。

凭借其高压、低导通损耗和稳健的动态特性，STP10N65K3非常适用于要求高可靠性和高效率的功率电子领域。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、电机驱动控制以及不同断电源（UPS）的功率转换级。其TO-220封装形式便于安装散热器，适合在中等功率水平的工业与消费类电源设计中构建紧凑而高效的解决方案。

• 型号:STP10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10N65K3是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心电气参数定义了其在高压开关应用中的竞争力，包括650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），为电源系统提供了坚实的耐压和载流基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（RdsOn）最大值仅为1欧姆，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大42nC的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关切换，有利于提升整体电源效率并简化驱动电路设计。