STP10NM60N

STP10NM60N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于通过创新的单元布局和工艺技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的保障。其导通电阻在10V驱动电压、4A电流条件下典型值仅为550毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，栅极电荷（Qg）典型值低至19nC，结合540pF的输入电容（Ciss），意味着器件在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于简化驱动电路设计并提升开关频率，从而减小系统中磁性元件的体积。

在电气参数方面，STP10NM60N的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的范围，提供了较宽的驱动安全裕量。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，在壳温（Tc）条件下最大功耗可达70W，结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STP10NM60N非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及高效照明镇流器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，降低温升，并有助于实现更紧凑的电源设计方案。

• 型号:STP10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术优势体现在低导通损耗与良好的开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为550毫欧，同时栅极电荷（Qg）低至19nC。这些特性共同作用，使得该MOSFET在导通和开关过程中的能量损耗得以最小化，有助于提升整体系统效率。器件采用TO-220AB封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在各种应用环境下的稳定性和可靠性。