STP12NK80Z

STP12NK80Z是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用成熟的TO-220AB通孔封装。该器件隶属于ST的SuperMESH产品系列，这一架构通过优化单元密度和工艺技术，在高压应用中实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗。

其核心特性在于能够承受高达800V的漏源电压（Vdss），并在25°C壳温条件下提供10.5A的连续漏极电流。为了实现高效驱动，该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大为4.5V，而标准驱动电压为10V。一个关键的性能指标是其导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压和5.25A电流条件下，最大值仅为750毫欧，这直接关系到器件在导通状态下的功率损耗水平。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值为87nC，结合2620pF的输入电容（Ciss），共同决定了开关速度与驱动电路的设计复杂度，有助于构建高效率的开关电源系统。

在接口与可靠性方面，STP12NK80Z的栅极-源极电压（Vgs）可承受±30V的峰值，这为驱动电路的设计提供了一定的安全裕度。其最大功耗能力为190W（基于壳温），结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过专业的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

得益于其高压、低导通电阻的特性，这款MOSFET非常适用于需要高效能功率转换和管理的场合。典型的应用场景包括离线式开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与控制、电子镇流器以及UPS（不间断电源）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统整体能效和功率密度。

• 型号:STP12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP12NK80Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件设计用于高效功率开关应用，其核心优势在于800V的漏源击穿电压（Vdss）与低至750毫欧（最大值）的导通电阻（Rds(on)）的良好结合，有助于降低导通损耗。

在10V驱动电压下，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现快速开关并减少开关损耗。器件在壳温25°C时可承受10.5A的连续电流，最大功耗达190W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在苛刻环境下的鲁棒性和可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高压功率转换电路的理想选择。