STP130N6F7

STP130N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和制造工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能之间的平衡。其核心架构通过精细的沟槽栅设计，有效降低了单位面积的导通阻抗（R_DS(on)），同时优化了内部电荷分布，从而显著减少了开关过程中的动态损耗，提升了整体能效。

在功能特性方面，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其最大导通电阻低至5毫欧（在10V V_GS和40A I_D条件下），这直接转化为更低的传导损耗，尤其在处理大电流时优势明显。配合高达80A的连续漏极电流（T_C=25°C）和60V的漏源击穿电压（V_DSS），使其能够稳健地应用于中高功率场景。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，有助于降低驱动电路的负担并提升开关频率，而±20V的栅源电压（V_GS）范围则提供了更宽松的驱动设计裕度。

该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理兼容性，其最大结温（T_J）高达175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。关键参数如输入电容（C_iss）和阈值电压（V_GS(th)）均经过精心设计，以优化其在开关电源中的表现。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品、数据手册及设计资源。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗以及快速的开关特性，STP130N6F7非常适用于要求高效率和高功率密度的应用领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及各类工业级开关电源。其稳健的性能使其成为工程师在设计和升级中功率电力电子系统时，一个可靠且高效的半导体解决方案。

• 型号:STP130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP130N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件设计用于提供卓越的功率处理效率，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值5mΩ @ 10V, 40A）与高达80A的连续漏极电流能力相结合，能显著降低系统传导损耗。

其60V的漏源电压额定值及优化的动态参数（如低栅极电荷），确保了在开关电源和电机控制等应用中具备快速响应与低开关损耗的特性。采用TO-220AB封装，提供良好的功率耗散能力，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的工业与汽车环境。