STP13N65M2

作为ST意法半导体MDmesh M2系列中的一员，STP13N65M2是一款采用先进平面工艺和专利结构设计的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元布局与沟槽技术，旨在实现高阻断电压与低导通电阻之间的卓越平衡。该设计通过降低单位面积的比导通电阻（Rds(on)），有效减少了导通损耗，同时其优化的内部电容特性有助于提升开关速度，降低开关过程中的能量损耗。

该器件具备多项突出的功能特性。其650V的高漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的安全工作裕量，使其能够从容应对工业应用中的电压尖峰和浪涌。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为0.43欧姆，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值低至17nC，结合优化的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关频率并简化栅极驱动设计，从而降低系统整体复杂性和成本。

在接口与关键参数方面，STP13N65M2采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C下可达10A，最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了稳定的驱动兼容性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，有助于增强抗干扰能力，防止误触发。其结温（Tj）最高可工作在150°C，最大功率耗散为110W（Tc），确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的优良组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性要求较高的功率转换领域。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂、不同断电源（UPS）以及高效照明系统的电子镇流器。在这些应用中，它能够有效提升系统能效等级，减小散热器尺寸，并增强系统在高压环境下的长期稳定性。

• 型号:STP13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至430毫欧（@10V Vgs）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这为高压应用提供了高能效和强健性的保障。

其技术参数针对优化开关性能进行了精心设计，典型栅极电荷（Qg）仅为17nC，有助于降低开关损耗并支持更高频率的操作。在壳温25°C下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，最大结温可达150°C，确保了在 demanding 应用环境下的功率处理能力和可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换系统中关键开关元件的理想选择。