STH310N10F7-2

作为ST意法半导体（STMicroelectronics）旗下高性能功率MOSFET产品线的重要成员，STH310N10F7-2采用了先进的STripFET VII架构与DeepGATE技术。该架构通过优化单元密度和沟槽栅极设计，在硅片层面实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与出色的开关性能平衡。其N沟道设计基于成熟的MOSFET（金属氧化物）技术，确保了器件在高温和高功率环境下的可靠性与稳定性，为高效率功率转换奠定了坚实的物理基础。

该器件的核心优势体现在其卓越的电气性能上。在100V的漏源电压（V_DSS）额定值下，它能够支持高达180A（T_C）的连续漏极电流，同时导通电阻典型值低至2.5毫欧（在60A，10V条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为3.8V，有助于防止误触发并增强抗噪能力。尽管具有大电流处理能力，其栅极总电荷（Q_g）控制在180nC（@10V）的水平，配合12800pF的输入电容，有助于优化开关速度并降低驱动电路的功率需求。

在接口与热管理方面，STH310N10F7-2采用表面贴装型H2PAK-2封装。这种封装不仅提供了紧凑的占板面积，其优异的散热特性支持器件在壳温（T_C）条件下耗散高达315W的功率。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，为驱动电路的设计提供了充足的裕量。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过正规的ST一级代理进行采购是保障供应链可靠性的关键。

凭借上述特性，该器件非常适用于对效率和功率密度有苛刻要求的大电流应用场景。典型应用包括工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及电动/混合动力汽车中的辅助电源和电机控制模块。其高电流能力和低导通电阻使其成为构建高效同步整流和开关电路的理想选择，能够有效提升终端产品的能效等级与功率输出能力。

• 型号:STH310N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STH310N10F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用H2PAK-2表面贴装封装。其核心卖点在于结合了100V的漏源电压额定值与高达180A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 60A, 10V），这显著降低了功率转换过程中的传导损耗。

该器件基于STripFET VII和DeepGATE技术，优化了开关性能与栅极电荷（Qg 180nC @ 10V）的平衡。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和强大的功率耗散能力（315W @ Tc），确保了在高功率密度应用中的可靠性与热稳定性，适用于要求严苛的工业与汽车电子环境。