STP13NM60N

STP13NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用经典的TO-220-3通孔封装，专为高效、高可靠性的开关电源和功率转换应用而设计。该器件隶属于ST先进的MDmesh II产品系列，这一系列的核心架构旨在优化功率密度与开关性能的平衡。其内部结构通过创新的单元设计和工艺优化，显著降低了导通电阻与栅极电荷的乘积（Rds(on) * Qg），这是衡量MOSFET开关品质的关键指标，意味着在相同的硅片面积下，能够实现更低的传导损耗和更快的开关速度。

该MOSFET的600V漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路以及电机驱动中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达11A，结合90W的最大功率耗散能力，确保了在持续高负载运行下的热稳定性。其导通电阻在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为360毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率并简化散热设计。

在动态特性方面，STP13NM60N表现出色。其最大栅极电荷（Qg）在10V条件下为30nC，输入电容（Ciss）在50V下最大值为790pF，这些参数共同决定了快速的开关瞬态响应和较低的驱动损耗，使得它能够工作在较高的开关频率下，从而允许使用更小体积的磁性元件。栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了宽裕的驱动安全余量。其阈值电压Vgs(th)最大为4V，具备良好的噪声免疫能力。用户可以通过官方ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及设计支持服务。

得益于其稳健的电气参数和宽泛的-55°C至150°C结温工作范围，该器件非常适合要求严苛的工业与消费类应用。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明镇流器、UPS不同断电源、电机控制驱动以及电焊机等功率转换平台。其TO-220封装形式兼顾了优异的导热性能和便于手工焊接或安装的特点，是工程师在构建中高功率密度解决方案时的可靠选择。

• 型号:STP13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP13NM60N是STMicroelectronics基于MDmesh II技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V/11A的电压电流额定值，结合低至360毫欧的导通电阻（Rds(on)），能够在高压开关应用中显著降低传导损耗，提升能效。

其动态特性经过优化，栅极电荷（Qg）仅为30nC，配合较低的输入电容，确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，适用于高频开关电源设计。封装采用工业标准的TO-220-3，提供良好的功率处理能力和散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保障了在恶劣环境下的稳定运行。