STP150N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII产品系列的一员，STP150N10F7是一款采用先进的DeepGATE技术构建的N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和卓越的开关性能。通过优化的单元设计和制造工艺，它在硅片层面实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的出色平衡，这是评估功率MOSFET效率的两个关键品质因数（FOM）。

在功能特性上，该器件展现出强大的电流处理能力，在壳温（Tc）25°C条件下连续漏极电流（Id）高达110A，最大功率耗散为250W。其4.2毫欧（@55A, 10V）的典型导通电阻值，意味着在导通状态下产生的热量极少，从而提升了系统的整体能效和可靠性。栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可使其完全导通，且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，提供了充足的噪声容限。其栅极电荷最大值仅为117nC，有助于降低开关损耗，并允许使用更小、更经济的驱动电路，实现更高频率的开关操作。

从电气参数来看，100V的漏源电压（Vdss）额定值使其非常适用于48V或更低电压总线的主流工业与汽车应用。宽泛的工作结温（TJ）范围，从-55°C到175°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。尽管输入电容（Ciss）相对较高，但其优化的动态特性使得在正确的栅极驱动设计下，开关过渡过程依然可以保持快速且可控。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理进行采购与咨询。

基于其高性能参数组合，STP150N10F7非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它常被用于DC-DC转换器的同步整流或主开关、电机驱动与控制（如电动工具、工业电机）、不间断电源（UPS）以及电池保护与管理系统中。在这些应用中，其低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，而较低的栅极电荷则有助于减少开关损耗，共同为终端设备提升能效、减少散热需求并缩小整体尺寸提供了坚实的技术基础。

• 型号:STP150N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP150N10F7是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET VII系列并采用DeepGATE技术。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其优异的电气特性平衡：在100V漏源电压（Vdss）额定值下，提供高达110A的连续漏极电流和极低的4.2毫欧导通电阻（Rds(on)），显著降低了功率传导损耗。

同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为117nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升系统整体效率。宽泛的-55°C至175°C工作结温范围和250W的功率处理能力，使其能够稳定应对高功率密度应用的挑战。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中追求高效率与可靠性的理想选择。