STFU13N65M2

作为ST意法半导体MDmesh M2系列的一员，STFU13N65M2是一款采用先进超结（Super-Junction）技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的MDmesh M2工艺，该工艺通过优化单元结构和电荷平衡，在保持高耐压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）。这种设计使得器件在高压开关应用中能够实现更低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其TO-220FP封装提供了通孔安装的便利性，并确保了良好的热性能，有助于将热量有效地从芯片传导至散热器。

该器件具备一系列出色的功能特性。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）电路等高压环境中的电压应力。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值为10A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在5A电流和10V驱动电压（Vgs）下，Rds(on)最大值仅为430毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。此外，栅极电荷（Qg）最大值控制在17nC（@10V），结合590pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着其所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，从而优化高频开关性能。

在接口与关键参数方面，STFU13N65M2的标准驱动电压为10V，栅源电压（Vgs）最大可承受±25V，为驱动设计提供了充足的裕量。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），确保了良好的噪声抑制能力。器件的最大结温（Tj）高达150°C，在Tc条件下最大功率耗散为25W，展现了其稳健的鲁棒性和热可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品，确保原装正品和全面的应用支持。

凭借其高压、低损耗和高可靠性的特点，STFU13N65M2非常适合于要求严苛的功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）、尤其是反激式、正激式和LLC谐振转换器中主开关或同步整流（需注意体二极管特性）的理想选择。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器的辅助电源以及照明领域的电子镇流器中，该器件也能发挥关键作用，帮助设计工程师实现高效率、高功率密度的系统设计目标。

• 型号:STFU13N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:430 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STFU13N65M2是ST意法半导体推出的MDmesh M2系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了650V的高耐压与低至430毫欧（@5A,10V）的导通电阻，这得益于先进的超结技术，能有效降低高压应用中的传导损耗。

该器件在25°C壳温下可连续通过10A电流，最大结温达150°C，热性能可靠。17nC的低栅极电荷和590pF的输入电容有助于实现快速开关并降低驱动需求，提升系统效率。这些特性使其成为工业电源、PFC电路、UPS及电机驱动等高压、高效功率转换设计的优选功率开关元件。