STF7NM50N

STF7NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了出色的开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项关键性能指标。其漏源击穿电压（Vdss）高达500V，使其能够稳定工作在离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等高压应用环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.5A测试条件下最大值为780毫欧，这一较低的导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，最大为12nC @ 10V，结合约400pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于提升开关频率并简化栅极驱动电路设计。

在电气参数与物理接口方面，STF7NM50N的栅极驱动电压（Vgs）标准为10V，最大耐受电压为±25V，为驱动电路设计提供了充足的裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250A，具有良好的抗干扰能力。器件采用经典的TO-220FP封装，这是一种带散热片的通孔安装形式，便于通过外部散热器进行有效的热管理，其最大功率耗散能力在壳温条件下为20W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠货源和专业技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理进行采购咨询。

凭借500V的耐压、良好的导通与开关特性，STF7NM50N非常适用于需要高效能、高可靠性的中功率开关应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS系统中的功率转换部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关应用领域仍具有重要的参考价值，适用于现有系统的维护或特定批次的备货需求。

• 型号:STF7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF7NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性包括500V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压中功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在较低的导通电阻（最大780mΩ @ 10V）和优化的栅极电荷（最大12nC），这有助于降低导通损耗并提升开关效率。器件设计支持10V标准驱动，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在 demanding 环境下的稳定运行。