STP150NF55

STP150NF55是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡，从而显著提升功率转换效率并降低开关损耗。其核心架构通过精密的单元设计和制造工艺控制，确保了在高压、大电流工作条件下的高可靠性与稳定性，为要求严苛的功率应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为55V，适用于常见的48V及以下总线电压系统。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达120A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为6毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为190nC，结合±20V的最大栅源电压容限，为设计高效的栅极驱动电路提供了便利，有助于实现快速开关并减少驱动损耗。

在接口与参数方面，该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其最大功耗在壳温条件下可达300W，结合宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C），使其能够适应各种环境挑战。输入电容（Ciss）在25V Vds下最大为4400pF，这些动态参数与静态参数共同定义了其在开关电源中的性能边界。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以联系ST中国代理获取详细的采购与设计资源。

基于其优异的性能组合，STP150NF55非常适合于高效率、高功率密度的应用场景。它常被用作同步整流器、电机驱动H桥中的开关管，或部署在DC-DC转换器、不间断电源（UPS）以及工业电源的初级或次级侧。其高电流能力和低导通电阻特性，使其在服务器电源、通信基础设施和电动工具等需要处理大功率脉冲或持续负载的领域成为理想选择，有效帮助系统设计师优化能效、减小体积并提升整体可靠性。

• 型号:STP150NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP150NF55的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP150NF55是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其55V的漏源电压（Vdss）和高达120A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、60A电流条件下，Rds(on)最大值仅为6毫欧，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Qg最大190nC）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高功率密度DC-DC转换等应用的优选功率开关解决方案。