STP200N4F3

作为ST意法半导体STripFET系列中的一员，STP200N4F3是一款采用N沟道技术的功率MOSFET，其核心架构基于先进的金属氧化物半导体场效应晶体管技术。该器件采用通孔TO-220-3封装，专为高电流、高效率的功率开关应用而设计。其内部结构优化了载流子迁移路径，旨在实现极低的导通损耗和快速的开关响应，这对于提升系统整体能效和功率密度至关重要。

该器件的显著特性在于其卓越的电流处理能力和极低的导通电阻。在25°C的壳温条件下，其连续漏极电流高达120A，能够承载大功率负载。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压和80A漏极电流条件下，其导通电阻最大值仅为4.4毫欧。如此低的Rds(on)值直接转化为更低的传导损耗，减少了器件在工作中的发热，提升了系统的可靠性和效率。同时，其栅极电荷最大值控制在75nC，这有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STP200N4F3的漏源击穿电压为40V，适用于低压大电流的电源环境。其栅源阈值电压最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。其最大功率耗散能力为300W，结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，使其能够在严苛的热环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过正规的ST芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其高电流、低阻抗和强散热能力，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型的应用场景包括服务器和通信设备的高效率DC-DC转换器、电机驱动与控制系统（如电动工具、工业马达）、以及汽车电子中的辅助驱动和电源管理模块。在这些应用中，它能够有效承担主功率开关或同步整流的关键角色，是实现紧凑、高效功率解决方案的核心元器件之一。

• 型号:STP200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP200N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用标准的TO-220-3通孔封装，核心优势在于其高达120A的连续漏极电流处理能力与极低的导通电阻，在10V Vgs和80A Id条件下，Rds(on)最大值仅为4.4mΩ，能显著降低传导损耗，提升系统效率。

其电气规格包括40V的漏源电压和300W的最大功率耗散能力，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高温、高功率环境下的稳定性和可靠性。较低的栅极电荷（75nC @ 10V）有利于实现快速开关，减少开关损耗。这些特性使其成为大电流DC-DC转换、电机驱动及各类电源开关电路中的理想选择。