STWA67N60M6

STWA67N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色平衡，这一特性对于提升开关电源的效率至关重要。其核心在于通过改进的单元结构和制造工艺，显著降低了传导损耗和开关损耗，使得器件在高压大电流应用中能够维持较低的工作温升。

在功能表现上，该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss）和高达52A的连续漏极电流（Id）承载能力，确保了在严苛工况下的高可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、26A电流条件下典型值仅为49毫欧，配合最大72.5nC的低栅极电荷，共同决定了其卓越的开关性能。较低的Qg值意味着栅极驱动电路的设计可以更简化，驱动损耗更低，从而有助于提升系统整体能效。此外，其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了更宽的安全裕度和设计灵活性。

从接口与关键参数来看，该器件采用标准的TO-247长引线通孔封装，便于安装和散热处理，其最大功率耗散能力为330W（基于壳温）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应工业级的宽温环境要求。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于抑制高频开关过程中的电压尖峰和振荡。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

基于其高性能指标，STWA67N60M6非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电机驱动和焊接设备中的功率转换级。在这些领域中，其高耐压、大电流和优异的开关特性能够有效提升系统效率、功率密度和长期运行稳定性。

• 型号:STWA67N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:49 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
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STWA67N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和52A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻（49mΩ @10V）与低栅极电荷（72.5nC @10V）的良好折衷，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，有助于提升电源系统的整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和330W的功率耗散能力，确保了其在工业电源、电机驱动及新能源逆变器等 demanding 应用环境中的可靠性与鲁棒性。