STP21N90K5

STP21N90K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的SuperMESH5系列N沟道功率MOSFET，采用先进的垂直沟道架构。该器件在单一硅片上集成了优化的单元结构，通过精密的制造工艺实现了极低的单位面积导通电阻（R_DS(on)）与高阻断电压的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地减少导通损耗和开关损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。900V的高漏源击穿电压（V_DSS）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力与开关尖峰，确保了系统在恶劣电网条件下的长期可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达18.5A，配合仅299mΩ（典型值@10V V_GS, 9A I_D）的导通电阻，意味着在传导期间产生的功率损耗被显著降低。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值控制在43nC，这有助于降低驱动电路的负担，实现更快的开关速度并减少开关损耗，对于提升开关频率和功率密度具有直接贡献。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220-3通孔封装，便于安装和散热管理。其栅极驱动电压（V_GS）标准为10V，阈值电压（V_GS(th)）最大为5V，与常见的控制器输出电平兼容良好。最大栅源电压耐受范围为±30V，提供了充足的抗干扰裕量。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，平衡了开关性能与EMI特性。其结温工作范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为250W（T_C=25°C），展现了强大的热性能。对于需要稳定供货和深度技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是可靠的选择。

基于其高耐压、低导通电阻和高开关效率的特点，STP21N90K5非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC变换器、UPS（不间断电源）系统、电机驱动和照明镇流器的功率开关部分。它能够有效提升这些设备的能效等级，满足日益严格的能源法规要求，同时凭借其稳健性保障终端产品在工业环境中的持久稳定运行。

• 型号:STP21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP21N90K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）与低至299mΩ的导通电阻（R_DS(on)）的出色组合，这使其在高压应用中能显著降低传导损耗，提升整体能效。

在开关性能方面，其43nC的低栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关并减少驱动损耗，适用于高频开关场景。器件额定连续漏极电流（I_D）为18.5A（T_C），最大功耗250W，工作结温范围-55°C至150°C，确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性与稳健性。