STP21NM60ND

STP21NM60ND是ST意法半导体基于其第二代FDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极架构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在600V的高压等级下实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一指标是衡量高压MOSFET开关效率的关键。其内部结构专为降低开关损耗和传导损耗而设计，沟道区域经过特别处理，确保了在高结温下依然能维持稳定的电气特性，这对于功率转换系统的长期可靠性至关重要。

该MOSFET的核心优势在于其低导通电阻与快速开关特性的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为220毫欧，这直接降低了器件在导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）被控制在60nC，较低的Qg值意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关速度，从而有效降低开关过程中的损耗。结合高达±25V的栅源电压耐受能力，为驱动电路的设计提供了充足的裕量，增强了系统的鲁棒性。其功率耗散能力高达140W（壳温条件下），最大工作结温为150°C，展现了出色的热性能。

在电气参数方面，STP21NM60ND标称连续漏极电流为17A（基于壳温条件），漏源击穿电压为600V，适用于多数离线式开关电源的拓扑结构。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，具备良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）为1800pF，与其他参数共同决定了器件的开关行为。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，便于安装在散热器上以管理功率耗散产生的热量。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关产品信息与设计资源。

凭借其高压、高效的特点，该器件主要面向要求高可靠性和高效率的功率电子应用。典型应用场景包括工业级开关模式电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路和DC-DC变换器的主开关、不间断电源（UPS）的逆变和整流模块、电机驱动控制器的逆变桥臂，以及照明领域的高性能电子镇流器。在这些应用中，其快速开关和低损耗特性有助于提升整体系统能效，减少散热需求，从而实现更紧凑、更可靠的电源设计方案。

• 型号:STP21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP21NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格为600V漏源电压和17A连续漏极电流，专为高压、高功率应用设计。

其技术亮点在于通过优化的内部架构，在10V栅极驱动下实现了仅220毫欧的低导通电阻（Rds(on)）与60nC的低栅极电荷（Qg），这一组合显著降低了传导与开关损耗。器件支持高达150°C的工作结温，功率耗散能力为140W，确保了在严苛环境下的稳定运行与出色的热管理性能。