STP25NM60ND

STP25NM60ND是ST意法半导体基于其第二代FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直沟槽栅极结构，通过优化单元密度和电荷平衡技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）。其核心设计旨在实现低开关损耗与高导通效率的平衡，这对于提升开关电源等系统的整体能效至关重要。内部结构经过精心设计，确保了在高温和高电压应力下的长期可靠性，同时其固有的快速体二极管特性有助于改善某些拓扑中的反向恢复性能。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气参数组合。它具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级AC-DC转换中常见的电压应力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达21A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、10.5A测试条件下最大仅为160毫欧，这一低R_DS(on)值直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。此外，其栅极总电荷（Q_g）典型值较低，结合适中的输入电容（C_iss），意味着所需的栅极驱动功率更小，开关速度更快，有助于简化驱动电路设计并提升系统开关频率。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器以实现高达160W（壳温条件下）的功率耗散。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（V_GS）可承受±25V，提供了较强的抗干扰能力。阈值电压（V_GS(th)）设计合理，有助于避免误触发。其最高结温（T_J）为150°C，保证了在严苛环境下的稳定工作。对于需要可靠元器件供应的设计项目，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术资料与库存信息。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，STP25NM60ND非常适合应用于对效率和可靠性有较高要求的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主转换级，如服务器电源、通信电源及工业电源。它也适用于电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统中的逆变器模块，以及高频焊接设备等需要高效开关的场合。其稳健的设计使其成为构建中高功率离线式电源解决方案的核心开关元件之一。

• 型号:STP25NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP25NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP25NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心规格包括600V的漏源电压（V_DSS）和21A的连续漏极电流（I_D），具备处理中高功率等级的能力。

其技术优势主要体现在低损耗特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为160毫欧，配合较低的栅极电荷（Q_g），能够有效降低导通与开关损耗，提升系统整体能效。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及电机驱动等应用中高效、可靠的功率开关选择。