STP28NM50N

STP28NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于多外延层与特殊单元几何形状的结合，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速响应与高可靠性。这种架构使得器件在承受高达500V漏源电压时，依然能保持优异的动态性能。

得益于MDmesh II技术，该MOSFET具备多项关键特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、10.5A电流条件下典型值仅为158毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值控制在50nC，结合1735pF的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗显著降低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STP28NM50N标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达21A，最大功率耗散为150W，结温（Tj）最高可工作至150°C，展现了其强大的电流处理与散热能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，确保了良好的噪声免疫性。该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，便于安装散热器，适用于需要高功率密度的场景。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

凭借500V的高耐压、低导通电阻与开关损耗，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率与高可靠性的离线式电源系统。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动与控制的逆变器模块、以及UPS（不间断电源）和电焊机等专业设备的功率转换部分。其稳健的性能使其成为中高功率AC-DC和DC-AC转换领域中一个值得信赖的功率开关解决方案。

• 型号:STP28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP28NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其500V的漏源击穿电压（Vdss）与低至158毫欧（典型值）的导通电阻（Rds(on)）的出色组合，能够在高压环境下实现高效的功率切换。

其技术参数针对降低系统损耗进行了优化：21A（Tc）的连续漏极电流承载能力和150W的最大功率耗散确保了高功率输出能力；同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值50nC）和输入电容有助于减少开关损耗，提升开关频率，从而优化电源系统的整体效率与功率密度。这些特性使其成为工业级电源和电机驱动应用的理想选择。