STP2NK100Z

STP2NK100Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电场，确保在1000V的漏源电压（Vdss）下具备可靠的阻断能力，同时通过降低栅极电荷和电容来优化开关性能。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的高压处理能力与开关效率。1000V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业电源和电机驱动中常见的电压应力和尖峰。导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、900mA漏极电流条件下典型值为8.5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16nC，结合499pF的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需能量更少，能够实现更快的开关速度并减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在电气参数方面，STP2NK100Z在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值为1.85A，最大功率耗散为70W，确保了在持续工作条件下的热稳定性。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±30V，提供了较强的驱动抗干扰能力。阈值电压Vgs(th)最大为4.5V，属于标准逻辑电平驱动范围，便于与常见的控制器接口。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，工作结温（Tj）范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。用户可通过官方ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

凭借其高压、低栅荷及稳健的封装特性，STP2NK100Z非常适用于需要高电压切换和高效能的中小功率应用场景。典型应用包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及家用电器和工业设备中的电机驱动与逆变器模块。在这些领域，它能够有效提升系统可靠性，简化散热设计，并帮助实现更紧凑、高效的电源解决方案。

• 型号:STP2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP2NK100Z是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值与优化的开关特性的结合，为高压应用提供了可靠的解决方案。

其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值为8.5欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大16nC）和输入电容显著提升了开关速度与效率，减少了驱动需求。器件采用TO-220AB封装，最大功耗70W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和耐用性。