STP310N10F7

STP310N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其核心在于采用了DeepGATE技术，通过增强的单元密度和沟槽栅极结构，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），从而在给定的芯片尺寸下实现了更高的电流处理能力。这种架构优化不仅提升了能效，也改善了器件的热性能，为高功率密度应用提供了坚实的基础。

该MOSFET的突出特性体现在其卓越的电气参数上。其漏源电压（V_DSS）额定值为100V，能够满足多种中压应用场景的需求。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）高达180A，展现出强大的电流承载能力。更为关键的是，其在10V栅极驱动电压、60A漏极电流条件下的导通电阻典型值低至2.7毫欧，这一极低的R_DS(on)值直接转化为更低的导通损耗和发热量，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Q_g）在10V条件下最大为180nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，优化高频工作性能。

在接口与参数方面，该器件设计稳健。其栅源电压（V_GS）最大可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压（V_GS(th)）最大值为3.8V，具备良好的噪声抑制能力。其最大结温（T_J）可达175°C，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热处理，最大功率耗散为315W（壳温条件下）。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STP310N10F7非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动与控制系统中的H桥或三相逆变器、不间断电源（UPS）的功率转换模块，以及电焊机、大功率DC-DC转换器等设备。其高电流、低导通电阻的特性使其成为替代传统方案、实现系统小型化和能效升级的理想选择。

• 型号:STP310N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 180A TO-220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP310N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII和DeepGATE技术的产品系列。该器件额定漏源电压为100V，在壳温25°C下可连续通过高达180A的电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、60A I_D条件下典型值仅为2.7毫欧，能显著降低导通损耗。

此外，该MOSFET具备快速开关特性，其最大栅极电荷为180nC @ 10V，有助于提升开关频率并优化驱动效率。器件采用TO-220通孔封装，最大结温达175°C，功率耗散能力为315W（Tc），确保了在高功率应用中的可靠性与散热效能。这些特性使其成为高电流、中压开关应用的效率提升关键元件。