STP34N65M5

作为ST意法半导体MDmesh V产品系列中的一员，STP34N65M5是一款采用先进垂直DMOS工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的单元结构和专有的超结技术，旨在实现极低的单位面积导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构通过精细的电荷平衡设计，有效降低了导通损耗和开关损耗，同时确保了在高电压应力下的坚固性与可靠性，为高效率功率转换应用提供了坚实的基础。

该器件具备多项突出的功能特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C管壳温度下，其连续漏极电流（Id）额定值高达28A，结合仅110毫欧（在14A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够实现极低的功率损耗，从而提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，有助于减少开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，STP34N65M5采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理。其最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。在10V驱动电压下，其阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。器件的最大结温（Tj）为150°C，在管壳温度下最大功耗为190W，展现了其强大的热性能。用户可通过官方ST代理获取完整的技术文档、样品及批量采购支持。

凭借高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）以及电焊机等功率转换平台。在这些应用中，它能够有效提升能效等级，减少散热需求，并增强系统在严苛环境下的长期运行稳定性。

• 型号:STP34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP34N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件设计用于高效能功率开关应用，其核心优势在于结合了650V的高耐压与极低的导通电阻（Rds(on)），在14A，10V条件下最大值仅为110毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

此外，该MOSFET具备28A的连续漏极电流能力和150°C的最大工作结温，配合TO-220封装，提供了出色的电流处理能力和散热性能。其优化的栅极电荷特性有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，使其成为工业电源、电机驱动和各类功率转换系统中提升功率密度和可靠性的理想选择。