STP36N55M5

ST意法半导体推出的STP36N55M5是一款高性能的N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V产品系列。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和加工工艺，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高电压工作条件下的稳定性和可靠性，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

这款MOSFET具备多项突出的电气特性。其550V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等高压应用环境。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至80毫欧（在16.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。此外，62nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg）有助于减少开关损耗，并降低对栅极驱动电路的要求，使得开关频率可以进一步提升，从而允许使用更小体积的磁性元件。

在接口与参数层面，STP36N55M5采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）为25°C时可达33A，最大功耗为190W（Tc），结合高达150°C的结温（TJ），赋予了其强大的功率处理能力和工作鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的安全驱动范围。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

基于其高压、低阻、快速开关的特性组合，该器件非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、工业电机驱动器和变频器中的逆变桥臂、以及不同断电源（UPS）和焊接设备中的功率转换部分。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数在相关领域仍具有重要的参考价值。

• 型号:STP36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP36N55M5是ST意法半导体MDmesh V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于550V的高漏源电压（Vdss）与低至80毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这确保了在高压应用中能够实现较低的传导损耗。

该器件在25°C壳温下的连续漏极电流为33A，最大功耗达190W，具备较强的功率处理能力。同时，其栅极电荷（Qg）仅为62nC，有利于实现快速的开关切换，降低开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为适用于高效电源转换和电机驱动方案的功率开关选择。