STP3NB100

STP3NB100是ST意法半导体基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220AB通孔封装，其核心架构旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理能力。其内部结构经过优化，在硅片层面实现了低栅极电荷与低导通电阻之间的良好平衡，这对于提升开关电源的整体效率至关重要。

该器件的一个显著特点是其高达1000V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业级高压应用中的电压应力与尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3A，结合最大仅6欧姆的导通电阻（Rds(on)），确保了在导通状态下具有较低的传导损耗。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，同时栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。此外，最大30nC的低栅极电荷（Qg）与最大700pF的输入电容（Ciss）共同作用，显著降低了开关过程中的驱动损耗，有利于实现更高频率的开关操作。

在电气参数方面，STP3NB100展现了全面的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了驱动电路的可靠性。器件最大功率耗散能力为100W（Tc），并且结温（TJ）最高可工作于150°C，这保证了其在苛刻热环境下的稳定运行。用户可通过全球授权的ST代理商获取该产品的技术资料与库存信息。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代型号。

凭借其高压、低损耗的特性，STP3NB100非常适用于需要高效功率转换与管理的场合。典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及工业电机控制中的辅助电源部分。其TO-220AB封装形式便于安装散热器，适合在中等功率水平的设备中作为关键的功率开关元件使用。

• 型号:STP3NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP3NB100的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP3NB100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件的核心卖点在于其1000V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及3A的连续漏极电流（Id）处理能力，专为高压开关应用而设计。

其技术参数经过优化，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为6欧姆，同时栅极电荷（Qg）低至30nC，这有效降低了导通损耗和开关损耗，有助于提升系统整体能效。器件支持高达150°C的结温工作，并具备100W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。