STP40N20

STP40N20是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，为工程师提供了一个在高压、大电流开关应用中实现高效功率转换的经典解决方案。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，确保了在200V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够稳定处理高达40A的连续漏极电流（Tc=25°C时）。

该MOSFET的功能特性突出表现在其优异的开关性能与导通损耗控制上。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，典型值仅为45毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在75nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使其能够快速响应开关信号。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），并支持高达±20V的栅源电压，提供了坚固的耐用性和设计裕量。

在电气参数方面，STP40N20的阈值电压Vgs(th)最大值为4V，这确保了良好的噪声免疫能力，防止误触发。其最大功率耗散能力为160W（Tc），结合TO-220AB封装良好的热传导特性，为散热设计提供了坚实基础。尽管该产品目前已处于停产状态，但其经过市场验证的可靠性和性能参数，使其在特定存量项目或对成本极其敏感的设计中仍具参考价值。如需获取最新的替代产品信息或技术支持，建议咨询官方ST授权代理。

得益于200V的耐压和40A的电流处理能力，STP40N20非常适用于各类离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、电机驱动控制器、DC-AC逆变器以及不间断电源（UPS）等应用场景。在这些领域中，它能够胜任高频开关任务，有效提升功率密度，是工业控制、能源转换和家用电器中实现可靠功率管理的经典元件之一。

• 型号:STP40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP40N20是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件隶属于STripFET产品系列，核心电气规格包括200V的漏源击穿电压（Vdss）以及在25°C壳温下40A的连续漏极电流处理能力。

其关键性能优势在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至45毫欧（@20A），能显著降低功率损耗。同时，75nC的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关操作。器件设计坚固，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的功率开关应用环境。