STP45N10F7

作为ST意法半导体旗下STripFET VII系列与DeepGATE技术平台的代表性产品之一，STP45N10F7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构通过优化单元密度和沟槽设计，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，这一特性直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换奠定了物理基础。该器件采用成熟的TO-220通孔封装，提供了坚固的机械结构和良好的散热路径，确保在持续高功率工作下的可靠性。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为100V，在壳温（Tc）25°C条件下连续漏极电流（Id）可达45A，使其能够胜任中高功率级别的开关任务。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压、22.5A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至18毫欧，这一低阻抗特性直接减少了导通状态下的功率耗散，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为25nC @ 10V，较低的栅极电荷需求意味着驱动电路可以更快地完成对器件的充放电，从而实现更高的开关频率和更低的开关损耗，这对于提升开关电源的功率密度至关重要。

该器件的接口与控制参数设计兼顾了性能与易用性。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由常见的微控制器或驱动IC直接或通过简单电路进行控制。最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了足够的噪声容限。输入电容（Ciss）为1640pF @ 50V，结合低栅极电荷，共同决定了其快速的动态响应能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行，最大功率耗散为60W（Tc）。

基于上述技术特性，STP45N10F7非常适用于需要高效率和高可靠性的功率开关应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制器（如电动工具、风扇驱动）、以及各类工业自动化设备中的功率开关模块。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源，以保障项目的顺利推进与量产。

• 型号:STP45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于结合了STripFET VII先进沟槽工艺与DeepGATE技术，在100V漏源电压和45A连续漏极电流的规格下，实现了极低的导通电阻（典型值18mΩ @ 10V, 22.5A）与栅极电荷（最大值25nC @ 10V）。

这一参数组合使其在导通损耗和开关损耗方面均有优异表现，特别适合用于提升开关电源和功率转换系统的效率。器件兼容标准逻辑电平驱动，工作结温范围宽（-55°C至175°C），为设计高可靠性、高效率的功率开关电路提供了稳健的解决方案。